विवरण
3W 808nm COS डायोड लेजर चिप
विवरण

विशेषताएँ
- उत्सर्जक चौड़ाई 100um/130um
- तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक 0.35एनएम डिग्री
- उच्च स्थिर और उच्च दक्षता
- कामकाजी जीवन काल 10000 घंटे से अधिक

आवेदन
- प्रत्यक्ष सामग्री प्रसंस्करण
- ठोस-अवस्था पम्पिंग स्रोत
- पवन संवेदन लिडार
- लेजर रोशनी
- मुक्त स्थान ऑप्टिकल संचार
विशेष विवरण
मद संख्या।:COS808DL3
| ऑप्टिकल | |
| केंद्र तरंगदैर्घ्य | 808एनएम±10एनएम |
| बिजली उत्पादन | 3W |
| उत्सर्जक चौड़ाई | 100/200um |
| विद्युतीय | |
| दहलीज धारा | 1A |
| ऑपरेटिंग करंट | 7A |
| ऑपरेटिंग वोल्टेज | 1.65V |
| थर्मल | |
| तापमान का परीक्षण करें | 25 डिग्री |
DIMENSIONS

जिस लेज़र चिप के बारे में हम अक्सर बात करते हैं उसे सिंगल ट्यूब भी कहा जाता है। इसकी निर्माण प्रक्रिया सेमीकंडक्टर चिप्स के समान है। यह सिलिकॉन वेफर निर्माण, आईसी डिजाइन, आईसी विनिर्माण, आईसी सीलिंग और परीक्षण जैसी प्रक्रियाओं की एक श्रृंखला से गुजरता है और अंत में एक छोटी चिप बनाता है, जिसे सिंगल ट्यूब सेमीकंडक्टर लेजर कहा जाता है। बिल्कुल नया उत्पाद, सबमाउंट डायोड लेजर पर 3W 808nm चिप्स, COS पैकेज का आकार OEM में एकीकरण के लिए आदर्श है।
निर्मित सीओएस मॉड्यूल की तस्वीर और एपी-साइड डाउन बॉन्डिंग का योजनाबद्ध विवरण

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