2W अनमाउंटेड लेजर बार

2W अनमाउंटेड लेजर बार

2W 830nm सिंगल -एमिटर एसई बेयर लेजर चिप
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विवरण

 

2W अनमाउंटेड लेजर बार

सिंहावलोकन

अनमाउंटेड लेजर बार उच्च {{0}शक्ति और उच्च {{1}चमक वाले सेमीकंडक्टर लेजर मॉड्यूल के लिए बुनियादी बिल्डिंग ब्लॉक हैं। विभिन्न प्रकार की आउटपुट शक्तियाँ और तरंग दैर्ध्य उपलब्ध हैं। अनमाउंटेड लेज़र बार उच्च{{4}शक्ति और उच्च{{5}चमक वाले सेमीकंडक्टर लेज़र मॉड्यूल के लिए बुनियादी बिल्डिंग ब्लॉक हैं। विभिन्न प्रकार की आउटपुट शक्तियाँ और तरंग दैर्ध्य उपलब्ध हैं। अनमाउंटेड लेज़र बार लेज़र में एक विद्युत घटक है, जो आमतौर पर अर्धचालक सामग्री से बना होता है, जो एक परावर्तक गुहा में लगा होता है। जब एक विद्युत क्षेत्र लागू किया जाता है, तो एकल ट्यूब की अर्धचालक सामग्री अपने ऑप्टिकल गुणों को थोड़ा बदल देती है, जिसके परिणामस्वरूप लेजर उत्सर्जन होता है

विशेषताएँ:

सबमाउंट डिज़ाइन पर चिप उपलब्ध है;

पी डाउन सीलबंद पैकेज;

उच्च स्थिरता और लंबा जीवनकाल;

उच्च विश्वसनीयता और AuSn संबंध;

आरओएचएस अनुकूल

20W 940nm Single Emitter Laser Chip
 

 

 

पैरामीटर मिन प्रकार अधिकतम इकाई
शक्ति 2     W
वेवलेंथ 820 830 840 एनएम
स्पेक्ट्रल चौड़ाई (एफडब्ल्यूएचएम) - 3 - एनएम
ध्रुवीकरण मोड - ते - -
तरंग दैर्ध्य बदलाव बनाम तापमान - 0.28 - एनएम/डिग्री
उत्सर्जक आकार - 40 - μm
ऑपरेटिंग करंट - 2 - A
ऑपरेटिंग वोल्टेज - 1.8 - V
विद्युत रूपांतरण दक्षता - 55 - %
ढलान दक्षता - 1.2 - W/A
परिचालन तापमान - 25 - डिग्री

 

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