60W 1064NM अनमाउंटेड लेजर बार
हांग्जो ब्रैंडन्यू उच्च-शक्ति सेमीकंडक्टर लेजर चिप्स के निर्माता हैं, ने एक नए 60W 1064NM अनमाउंटेड लेजर बार के लॉन्च की घोषणा की, जो मुख्य रूप से चिकित्सा सौंदर्य, वैज्ञानिक अनुसंधान और अन्य क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है .}. {
नई 60W 1064NM अनमाउंटेड लेजर बार सेमीकंडक्टर लेजर चिप मॉडल LC1064SB60 है, ल्यूमिनेंस स्ट्रिप की चौड़ाई 150μm है, गुहा की लंबाई 1 . 5 मिमी है, फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता 46%है, सेवा जीवन 10 से अधिक हो सकता है। इसके अलावा, चिप भी नए एपिटैक्सियल स्ट्रक्चर डिज़ाइन और मटेरियल एपिटैक्सी, लीडिंग कैविटी सर्फेस पस्टिवेशन टेक्नोलॉजी, एडवांस्ड नॉन-पंप विंडो डिज़ाइन और तैयारी तकनीक और शुष्क और गीले जंग का उपयोग करती है, जो स्व-संरेखण तकनीक के साथ संयुक्त रूप से संयुक्त रूप से, स्ट्रिप चौड़ाई की स्थिरता को नियंत्रित करती है, विशेष रूप से बड़े पैमाने पर उत्पादन सुनिश्चित करने के लिए, लेसर चिप की लागत को कम करने के लिए।
विशेषताएँ:
सबमाउंट डिजाइन पर चिप में उपलब्ध है
पी डाउन सील पैकेज
उच्च स्थिरता
औस्न संबंध
आरओएचएस अनुकूल

डेटा शीट
आइटम संख्या: LC1064SB60
| ऑप्टिकल | |
| केंद्र तरंग दैर्ध्य | 1064nm |
| तरंग दैर्ध्य सहिष्णुता | 10nm |
| ऑप्टिकल शक्ति | 60W |
| कार्य विधा | Cw/qcw |
| उत्साहवर्धक मात्रा | 19 |
| उत्सर्जन चौड़ाई | 150um |
| उत्साहवर्धक पिच | 500um |
| गुहा की लंबाई | 1.5 मिमी |
| बार की लंबाई | 10 मिमी |
| विद्युतीय | |
| थ्रेसहोल्ड करंट ith | 10A |
| ऑपरेटिंग करंट IOP | 65A |
| प्रचालन वोल्टेज VOP | 2V |
| थर्मल | |
| परीक्षण तापमान | 25 डिग्री |
| भंडारण तापमान | 0-55 डिग्री |
| तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक | 0.3nm/ डिग्री |
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