अनमाउंटेड लेजर बार

अनमाउंटेड लेजर बार

आइटम नंबर: LC780SB100
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विवरण

 

अनमाउंटेड लेजर बार

   

सिंहावलोकन

हम स्पष्ट रूप से परिभाषित प्रक्रियाओं में अपने लेजर चिप उत्पादों के उत्पादन की सख्ती से निगरानी करते हैं। उच्चतम विश्वसनीयता और जीवनकाल के लिए कला एपिटैक्सियल तकनीक की अद्वितीय स्थिति।

बेजोड़ दक्षता: उच्च विद्युतीय -से-ऑप्टिकल रूपांतरण दक्षता, ऊर्जा हानि को न्यूनतम करना और परिचालन लागत को कम करना।

लचीला एकीकरण: अनमाउंट होने के कारण, यह विभिन्न ऑप्टिकल सिस्टम और सेटअप में आसान अनुकूलन और एकीकरण की अनुमति देता है।

बीम गुणवत्ता: न्यूनतम विचलन के साथ उच्च गुणवत्ता वाले आउटपुट बीम के लिए डिज़ाइन किया गया, जो सटीक और केंद्रित ऊर्जा वितरण सुनिश्चित करता है।

विशेषताएँ:

उत्कृष्ट सोल्डरेबिलिटी

उच्च रूपांतरण दक्षता

100 CW और 500W QCW तक की शक्ति

मानक तरंग दैर्ध्य: 780 एनएम, 808 एनएम, 880 एनएम, 915 एनएम, 940 एनएम, 976 एनएम...

आवेदन पत्र:

फाइबर लेजर पंपिंग स्रोत

मृदा -राज्य लेजर पंपिंग स्रोत

प्रत्यक्ष अर्धचालक लेजर

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 

 

विशिष्टता:

आइटम नंबर: LC780SB100

 

ऑप्टिकल

प्रकार

केंद्रीय तरंग दैर्ध्य

785एनएम

बिजली उत्पादन

100W

कार्य करने का तरीका

सीडब्ल्यू

स्पेक्ट्रम चौड़ाई

4nm

उत्सर्जक की संख्या

47

उत्सर्जक चौड़ाई

100μm

उत्सर्जक पिच

200μm

भरने का कारक

50%

बार की चौड़ाई

10000μm

गुहा की लंबाई

1500μm

मोटाई

130μm

विद्युतीय

 

ऑपरेटिंग वर्तमान Iop

105A

दहलीज धारा Ith

18A

ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप

1.8V

रूपांतरण दक्षता

55%

थर्मल

 

परिचालन तापमान

15-35 डिग्री

तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक

0.28एनएम/डिग्री

 

ईएसडी सुरक्षा - इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज अप्रत्याशित उत्पाद विफलता का प्राथमिक कारण है। ईएसडी को रोकने के लिए अत्यधिक सावधानी बरतें। उत्पाद को संभालते समय कलाई की पट्टियों, ज़मीनी कामकाजी सतहों और कठोर एंटीस्टेटिक तकनीकों का उपयोग करें।

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