160mW 1310nm हाई पावर नैरो लाइनविड्थ DFB डायोड लेजर चिप

160mW 1310nm हाई पावर नैरो लाइनविड्थ DFB डायोड लेजर चिप

आइटम नंबर:LC1310DFB016
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विवरण

160mW 1310nm हाई पावर नैरो लाइनविड्थ DFB डायोड लेजर चिप

 

विशेषताएँ:

  • एकल अनुदैर्ध्य मोड (डीएफबी संरचना): कम शोर के साथ स्थिर तरंग दैर्ध्य उत्सर्जन
  • कॉम्पैक्ट चिप डिज़ाइन: TO{0}}कैन, बटरफ्लाई, या कस्टम पैकेजिंग में एकीकरण के लिए आदर्श
  • उच्च विश्वसनीयता: लंबे समय तक निरंतर संचालन के लिए सिद्ध प्रदर्शन
  • RoHS अनुरूप
  • ऑपरेटिंग केस तापमान: 0~75 डिग्री
 

अनुप्रयोग:

  • माइक्रोवेव फोटोनिक्स
  • ऑप्टिकल टेस्ट और इंस्ट्रुमेंटेशन
  • एफएमसीडब्ल्यू लिडार
  • ऑप्टिकल सेंसिंग
905nm laser chip

डेटा शीट

आइटम नंबर: LC1310DFB016

आइटम का नाम: 905nm 280W सिंगल बार लेजर चिप

ऑप्टिकल

प्रकार

केंद्रीय तरंग दैर्ध्य

1310एनएम

बिजली उत्पादन

160 मेगावाट

स्पेक्ट्रल लाइनविथ

250KHz

ढलान दक्षता 0.3W/A
बीम विचलन कोण, लंबवत 21डिग्री
बीम विचलन कोण, क्षैतिज 13डिग्री

विद्युतीय

लेजर डायोड फॉरवर्ड करंट

450mA

लेजर डायोड रिवर्स वोल्टेज

1A

ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप

10V

रूपांतरण दक्षता

40%

साइकिल शुल्क 0.010%
पुनरावृत्ति आवृत्ति 5000 हर्ट्ज

थर्मल

 

परिचालन तापमान

75 डिग्री

भंडारण तापमान

-40~+100 डिग्री

 

चित्रकला:

3W 1064nm Bare Laser Chip

लोकप्रिय टैग: 160mw 1310nm उच्च शक्ति संकीर्ण लाइनविड्थ डीएफबी डायोड लेजर चिप आपूर्तिकर्ता, निर्माता चीन, फैक्टरी, थोक, चीन में निर्मित