3W डायोड लेजर चिप्स
ईईएल 3डब्ल्यू डायोड लेजर चिप्स (एज -एमिटिंग लेजर) का मूल सिद्धांत उत्तेजित विकिरण के माध्यम से फोटॉन उत्पन्न करने की प्रक्रिया है। ईईएल लेजर की संरचना में मुख्य रूप से तीन भाग शामिल हैं: अर्धचालक सक्रिय क्षेत्र, पंप स्रोत और ऑप्टिकल अनुनाद गुहा। सक्रिय क्षेत्र लेजर उत्पादन का मुख्य क्षेत्र है। पंप स्रोत सक्रिय क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों को उत्तेजित करने के लिए ऊर्जा प्रदान करता है, जबकि ऑप्टिकल अनुनाद गुहा मोड चयन और फोटॉन के प्रवर्धन के लिए जिम्मेदार है, और अंत में एक लेजर बीम बनाता है
यह डायोड लेजर चिप्स कम दूरी के ToF अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है
• तरंग दैर्ध्य: 940 एनएम
• High power conversion efficiency: >35%
• अधिकतम शक्ति: 3 W

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