10W 808nm सिंगल एमिटर लेजर चिप
हम अपनी अर्धचालक सामग्रियों का उत्पादन सख्त गुणवत्ता नियंत्रण के तहत करते हैं। हम केवल अत्याधुनिक एपिटैक्सी, प्रोसेसिंग और फेसेट कोटिंग तकनीक के साथ काम करते हैं। उच्च-शक्ति डायोड लेजर के लिए हमारे बार, सेमी-बार और एकल उत्सर्जक सबसे सटीक मांगों को पूरा करते हैं: वे बेहद विश्वसनीय, कुशल और टिकाऊ हैं। हमारे सेमीकंडक्टर उत्पादों को मानक सोल्डरिंग विधियों का उपयोग करके आसानी से इकट्ठा किया जाता है।
विशेषता:
3nm सहनशीलता, 10W आउटपुट पावर के साथ 808nm केंद्रीय तरंग दैर्ध्य
सीडब्ल्यू कार्य मोड
बार विन्यास की विस्तृत विविधता
उच्च शक्ति और उच्च बीम तीव्रता आईआर लेजर विकिरण
आवेदन पत्र:
चिकित्सा और सौंदर्य
सॉलिड-स्टेट लेजर पंपिंग
लिडार अनुप्रयोग
सामग्री प्रसंस्करण
डेटा शीट:
आइटम नंबर: LC808SE10
| ऑप्टिकल | प्रकार |
| केंद्रीय तरंग दैर्ध्य | 808एनएम |
| बिजली उत्पादन | 10W |
| स्पेक्ट्रम चौड़ाई | 6nm |
| उत्सर्जक चौड़ाई | 190 um |
| चिप की चौड़ाई | 500 um |
| गुहा की लंबाई | 4000 um |
| मोटाई | 150 um |
| ढलान दक्षता | 0.5W/A |
| विद्युतीय | |
| ऑपरेटिंग वर्तमान Iop | 13A |
| दहलीज धारा Ith | 0.8A |
| ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप | 2V |
| थर्मल | |
| तापमान का परीक्षण करें | 25 डिग्री |
| तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक | 0.35एनएम/डिग्री |
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