40W 808nm VCSEL चिप
उच्च शक्ति 808 एनएम वीसीएसईएल चिप लेजर घटक। इसे उच्च विश्वसनीयता, स्थिर तरंग दैर्ध्य, संकीर्ण वर्णक्रमीय चौड़ाई, कम तापीय प्रतिरोध और उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रदर्शन के साथ उच्च शक्ति और दक्षता के लिए डिज़ाइन किया गया है।
विशिष्ट शिखर फोटोइलेक्ट्रिक रूपांतरण दक्षता: 48%
इसे ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित भी किया जा सकता है।
आवेदन पत्र:
हावभाव पहचान, लेजर लिडार, टीओएफ मॉड्यूल, इन्फ्रारेड लाइटिंग, 3डी चेहरा पहचान, सहायक ड्राइविंग
हावभाव पहचान, हावभाव पहचान कंप्यूटर के लिए मानव शरीर की भाषा को बेहतर ढंग से समझने और व्याख्या करने का एक मार्ग है, जो पहले पाठ या अनएन्हांस्ड ग्राफिकल (जीयूआई) उपयोगकर्ता इंटरफेस के माध्यम से संभव नहीं था।
LiDAR मूलतः एक दूरस्थ प्रौद्योगिकी है। हवाई जहाज या हेलीकॉप्टर से, LiDAR सिस्टम जमीन पर प्रकाश भेजते हैं।
एक समय{{0}ऑफ़{1}फ़्लाइट कैमरा (टीओएफ कैमरा), जिसे टाइम{{2}ऑफ़{3}फ़्लाइट सेंसर (टीओएफ सेंसर) के रूप में भी जाना जाता है, एक रेंज इमेजिंग कैमरा सिस्टम है जो छवि के प्रत्येक बिंदु के लिए कैमरे और विषय के बीच की दूरी को मापने के लिए {{4}फ़्लाइट के समय, एक कृत्रिम प्रकाश सिग्नल के राउंड ट्रिप समय, जैसा कि लेजर या एक एलईडी द्वारा प्रदान किया जाता है, के आधार पर होता है। लेज़र{7}}आधारित समय{{8}ऑफ़{9}फ़्लाइट कैमरे स्कैनर रहित LIDAR की एक विस्तृत श्रेणी का हिस्सा हैं, जिसमें पूरे दृश्य को प्रत्येक लेज़र पल्स के साथ कैप्चर किया जाता है, जबकि LIDAR सिस्टम को स्कैन करने में लेज़र बीम के साथ पॉइंट{10}}बिंदु के विपरीत। सिविल अनुप्रयोगों के लिए फ़्लाइट कैमरा उत्पादों का समय 2000 के आसपास उभरना शुरू हुआ, क्योंकि सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं ने घटकों के तेजी से उत्पादन की अनुमति दी थी। ऐसे उपकरणों के लिए पर्याप्त है। सिस्टम कुछ सेंटीमीटर से लेकर कई किलोमीटर तक की सीमा को कवर करता है।

विशेष विवरण:
आइटम नंबर:VC808LC40
| ऑप्टिकल | विशिष्ट मूल्य |
| केंद्र तरंगदैर्घ्य λ | 808एनएम |
| तरंग दैर्ध्य सहिष्णुता | ±10nm |
| बिजली उत्पादन | 40W |
| कार्य करने का तरीका | सीडब्ल्यू |
| उत्सर्जक मात्रा | 14513 |
| सेप्ट्रम चौड़ाई | 2.5एनएम |
| विद्युतीय | |
| दहलीज धारा Lth | 10A |
| ऑपरेटिंग वर्तमान Iop | 50A |
| ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप | 2V |
| थर्मल | |
| तापमान का परीक्षण करें | 25 डिग्री |
| भंडारण तापमान | -40~105 डिग्री |
| तरंग दैर्ध्य गुणांक | 0.07एनएम/के |
पैकेज ड्राइंग:

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