पीडी के साथ 1W 850nm VCSEL SMD डायोड
सिंहावलोकन
विशेषताएँ:
850nm एकल अनुदैर्ध्य मोड
कम तरंग दैर्ध्य बहाव
ऑक्साइड पृथक्करण प्रौद्योगिकी
निम्न दहलीज धारा
उच्च विश्वसनीयता
समेटना आसान
अनुप्रयोग:
3डी सेंसर
लिडार
आईआर रोशनी
चिकित्सा अनुप्रयोग
निकटता सेंसर
गोलाकार आउटपुट बीम
एज {{0}एमिटर के विपरीत, पीडी के साथ 1W 850nm VCSEL SMD डायोड अतिरिक्त प्रकाशिकी की आवश्यकता के बिना कम विचलन के साथ एक गोलाकार सममित बीम में उत्सर्जित होता है। टेलीकॉम और डेटाकॉम बाजारों में कम {{4}शक्ति वाले वीसीएसईएल के लिए यह एक जबरदस्त लाभ रहा है क्योंकि उच्च युग्मन दक्षता के साथ सीधे फाइबर ("बट - कपलिंग") को जोड़ने की उनकी क्षमता के कारण {{6} डब्ल्यू 850 एनएम वीसीएसईएल एसएमडी डायोड पीडी उत्सर्जन के साथ अर्ध {{8} शीर्ष {{9} हैट बीम प्रोफाइल में निकलता है, जो इन उपकरणों को ठोस राज्य के प्रत्यक्ष पंपिंग ("बट {{10} पंपिंग") के लिए आदर्श बनाता है। लेजर.
विशेषताएँ
| पैरामीटर | प्रकार. |
| केंद्र तरंगदैर्घ्य | 850±10nm |
| बिजली उत्पादन | 1W |
| दहलीज धारा | 0.15A |
| आगे प्रवाह | 1.3A |
|
विद्युत रूपांतरण दक्षता |
35% |
| ढलान दक्षता | 0.87W/A |
| उत्सर्जन क्षेत्र | 354×355um |
| लेजर फॉरवर्ड वोल्टेज | 2.2V |
| श्रृंखला प्रतिरोध | 0.71Ω |
| बीम कोण | 18डिग्री |
| तरंग दैर्ध्य तापमान. अभिप्राय | 0.07एनएम/डिग्री |
| सोल्डरिंग तापमान | 260(10s) डिग्री |
| सब्सट्रेट | ऐन |
| केस संचालन तापमान | -40-85 डिग्री |
| भंडारण तापमान | -40-105 डिग्री |
यांत्रिक योजनाएँ
लोकप्रिय टैग: 1w 850nm vcsel smd डायोड पीडी आपूर्तिकर्ताओं, निर्माताओं चीन, कारखाने, थोक, चीन में निर्मित के साथ