100W 808nm डायोड लेजर चिप

100W 808nm डायोड लेजर चिप

आइटम नंबर: LC808SB100
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विवरण

 

100W 808nm डायोड लेजर चिप

सिंहावलोकन

 

विशेषताएँ:

• उच्चतम विश्वसनीयता और जीवनकाल के लिए अद्वितीय एएए एपिटैक्सियल तकनीक

• उच्च दक्षता

• 100 um चौड़े उत्सर्जक से 100W तक

पैकेजिंग सिद्धांत:

वेल्डिंग तकनीक: लेजर चिप को पैकेज संरचना से जोड़ने की प्रक्रिया, आमतौर पर इस्तेमाल की जाने वाली वेल्डिंग तकनीक में सोल्डर, सोल्डर पेस्ट आदि शामिल हैं। वेल्डिंग करते समय, वेल्डिंग की गुणवत्ता सुनिश्चित करने और लेजर चिप को क्षतिग्रस्त होने से बचाने के लिए तापमान और वेल्डिंग समय को सटीक रूप से समायोजित किया जाना चाहिए।

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

 

विशिष्टता:

आइटम नंबर: LC808SB100

ऑप्टिकल प्रकार
केंद्रीय तरंग दैर्ध्य 808एनएम
बिजली उत्पादन 100W
कार्य करने का तरीका सीडब्ल्यू
स्पेक्ट्रम चौड़ाई 4nm
उत्सर्जक की संख्या 47
उत्सर्जक चौड़ाई 100μm
उत्सर्जक पिच 200μm
भरने का कारक 50%
बार की चौड़ाई 10000μm
गुहा की लंबाई 1500μm
मोटाई 125μm
विद्युतीय  
ऑपरेटिंग वर्तमान Iop 105A
दहलीज धारा Ith 18A
ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप 1.8V
रूपांतरण दक्षता 55%
थर्मल  
परिचालन तापमान 15-35 डिग्री
तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक 0.28एनएम/डिग्री

 

पीआईवी चार्ट

 

A6H`MWJ74VQOV2G)19BA%]V

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

किसी ऑर्डर को कैसे आगे बढ़ाएं?

1. अधिक जानकारी के लिए ईमेल द्वारा हमसे संपर्क करें

2. हम आपको भुगतान के लिए पीआई भेजते हैं, भुगतान अवधि टी/टी या वेस्टर्न यूनियन है

3. एक बार भुगतान हो जाने पर, हम उत्पादन की व्यवस्था करेंगे

4. डिलीवरी का समय 1-2 सप्ताह है जो अलग-अलग ऑर्डर मात्रा और अनुरोध पर निर्भर करता है।

5. डिलीवरी के बाद, हम आपको डीएचएल यूपीएस फेडेक्स टीएनटी ट्रैकिंग नंबर भेजेंगे।

 

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