100W 808nm डायोड लेजर चिप
सिंहावलोकन
विशेषताएँ:
• उच्चतम विश्वसनीयता और जीवनकाल के लिए अद्वितीय एएए एपिटैक्सियल तकनीक
• उच्च दक्षता
• 100 um चौड़े उत्सर्जक से 100W तक
पैकेजिंग सिद्धांत:
वेल्डिंग तकनीक: लेजर चिप को पैकेज संरचना से जोड़ने की प्रक्रिया, आमतौर पर इस्तेमाल की जाने वाली वेल्डिंग तकनीक में सोल्डर, सोल्डर पेस्ट आदि शामिल हैं। वेल्डिंग करते समय, वेल्डिंग की गुणवत्ता सुनिश्चित करने और लेजर चिप को क्षतिग्रस्त होने से बचाने के लिए तापमान और वेल्डिंग समय को सटीक रूप से समायोजित किया जाना चाहिए।

विशिष्टता:
आइटम नंबर: LC808SB100
| ऑप्टिकल | प्रकार |
| केंद्रीय तरंग दैर्ध्य | 808एनएम |
| बिजली उत्पादन | 100W |
| कार्य करने का तरीका | सीडब्ल्यू |
| स्पेक्ट्रम चौड़ाई | 4nm |
| उत्सर्जक की संख्या | 47 |
| उत्सर्जक चौड़ाई | 100μm |
| उत्सर्जक पिच | 200μm |
| भरने का कारक | 50% |
| बार की चौड़ाई | 10000μm |
| गुहा की लंबाई | 1500μm |
| मोटाई | 125μm |
| विद्युतीय | |
| ऑपरेटिंग वर्तमान Iop | 105A |
| दहलीज धारा Ith | 18A |
| ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप | 1.8V |
| रूपांतरण दक्षता | 55% |
| थर्मल | |
| परिचालन तापमान | 15-35 डिग्री |
| तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक | 0.28एनएम/डिग्री |
पीआईवी चार्ट
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