50W 808nm लेजर डायोड बेयर बार

50W 808nm लेजर डायोड बेयर बार

50W 808nm सिंगल बार लेजर चिप
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विवरण

 

50W 808nm लेजर डायोड बेयर बार

100W 808nm Laser Diode Bare Bar

उत्पाद वर्णन

ब्रांडन्यू अनमाउंटेड बार्स ने वास्तविक दुनिया के अनुप्रयोगों में उच्च विश्वसनीयता के लिए मानक स्थापित किए हैं। और ब्रांडन्यू शक्ति, चमक, दक्षता और विचलन में निरंतर प्रगति के साथ आगे बढ़ना जारी रखता है।

तरंग दैर्ध्य में 780-830nm, 880nm, 905-980nm, 1064nm और 1400-1500nm शामिल हैं। बार और चिप्स विभिन्न भरण कारकों, धारी चौड़ाई, बार चौड़ाई और गुहा लंबाई में उपलब्ध हैं, और आपकी विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलित विकल्प विकसित किए जा सकते हैं।

डेटा शीट:

 

ऑप्टिकल मिन प्रकार अधिकतम इकाई
केंद्रीय तरंग दैर्ध्य 798 808 818 एनएम
बिजली उत्पादन   50   W
कार्य करने का तरीका   सीडब्ल्यू    
स्पेक्ट्रम चौड़ाई   4   एनएम
उत्सर्जक की संख्या   19    
उत्सर्जक चौड़ाई   150   μm
उत्सर्जक पिच   500   μm
भरने का कारक   30   %
बार की चौड़ाई 9800 10000 10200 μm
गुहा की लंबाई 990 1000 1010 μm
मोटाई 115 125 135 μm
फास्ट एक्सिस डाइवर्जेंस (एफडब्ल्यूएचएम)   39   डिग्री
धीमी धुरी विचलन (एफडब्ल्यूएचएम)   9   डिग्री
ध्रुवीकरण मोड   ते    
ढलान दक्षता 1.05 1.15   W/A
विद्युतीय मिन प्रकार अधिकतम इकाई
ऑपरेटिंग वर्तमान Iop   48.5 50.5 A
दहलीज धारा Ith   6   A
ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप   1.8 2 V
रूपांतरण दक्षता 52 57   %
थर्मल मिन प्रकार अधिकतम इकाई
परिचालन तापमान 15 25 35 डिग्री
तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक   0.28   एनएम/डिग्री

 

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