808nm 50W VCSEL चिप
विशेषताएँ:
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उच्च शक्ति घनत्व
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उच्च दक्षता
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किनारा उत्सर्जित करने वाले लेजर (ईईएल) की तुलना में, वीसीएसईएल अधिक सममित, गोल बीम स्पॉट प्रदान करते हैं जिन्हें ऑप्टिकली आकार देना आसान होता है।
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बड़े उत्सर्जन क्षेत्र और 2डी ऐरे पैकेजिंग: मॉड्यूलर सिस्टम में पावर स्केलिंग के लिए उपयुक्त।
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कॉम्पैक्ट पैकेजिंग: कॉम्पैक्ट और बड़े पैमाने पर उत्पादित उपकरणों में एकीकरण के लिए आदर्श।
आवेदन पत्र:
- लेजर पम्पिंग स्रोत
- चिकित्सा और सौंदर्य संबंधी उपकरण
- स्पेक्ट्रोस्कोपी और इमेजिंग
- टीओएफ/लीडार/सेंसर

808nm 50W VCSEL चिप (वर्टिकल {{2} कैविटी सरफेस {{3} उत्सर्जक लेजर) एक उच्च {{4} शक्ति, संकीर्ण {5} बैंड इन्फ्रारेड लेजर स्रोत है जो लंबवत उत्सर्जित प्रकाश के साथ है। इसका उपयोग मुख्य रूप से लेजर पंपिंग, मटेरियल हीटिंग और बायोमेडिकल अनुप्रयोगों जैसी प्रणालियों में किया जाता है। इसकी ऊर्ध्वाधर उत्सर्जन संरचना शक्ति घनत्व को बढ़ाने के लिए 2डी सरणियों में आसान एकीकरण की अनुमति देती है।
डेटा शीट
मद संख्या।:VC808ME50
आइटम का नाम: 808nm 50W मल्टी एमिटर VCSEL चिप
| ऑप्टिकल | विशिष्ट मूल्य |
| केंद्र तरंगदैर्घ्य λ | 808एनएम |
| तरंग दैर्ध्य सहिष्णुता | ±10nm |
| बिजली उत्पादन | 50W |
| कार्य करने का तरीका | सीडब्ल्यू |
| पूर्ण विचलन | 20डिग्री |
| चिप का आकार | 5*5मिमी |
| विद्युतीय | |
| दहलीज धारा Lth | 15A |
| ऑपरेटिंग करंट लूप | 60A |
| ऑपरेटिंग वोल्टेज वोप | 2V |
| थर्मल | |
| तापमान का परीक्षण करें | 25 डिग्री |
| भंडारण तापमान | -40~105 डिग्री |
| तरंग दैर्ध्य तापमान गुणांक | 0.07एनएम/डिग्री |

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